会议论文《P型硅中低浓度铜沾污的瞬态电容技术研究》探讨了利用瞬态电容技术检测P型硅中低浓度铜污染的方法。该研究为半导体材料中的杂质分析提供了新的手段，有助于提高器件性能和可靠性。论文在第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议上发表，对相关领域的技术发展具有重要意义。
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