会议论文《ULTRA-B_新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展》发表于第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议。该文深入探讨了适用于纳米尺度的CMOS器件模型，提出了改进的ULTRA-B模型，以提升集成电路设计的精度与效率。研究针对纳米工艺下的器件特性进行了详细分析，为未来高性能、低功耗集成电路的发展提供了理论支持和技术参考。
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