F等离子体处理功率对AlGaN_GaN HEMT器件的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:24 | 查看全部阅读模式

会议论文《F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响》探讨了不同功率的F等离子体处理对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响。研究结果表明，适当调整等离子体功率可有效改善器件的电学特性，如阈值电压和跨导，从而提升器件性能。该研究为优化GaN基器件的工艺参数提供了重要参考。

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