BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金的LP—MOCVD生长研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:16 | 查看全部 阅读模式

会议论文《BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金的LP—MOCVD生长研究》探讨了两种新型半导体合金的生长技术。文章详细分析了LP—MOCVD工艺参数对材料性能的影响,为高性能光电器件和微波器件的制备提供了理论依据和技术支持。

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BxAl1-xAs和BxAlyIn1-x-yAs合金的LP—MOCVD生长研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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