会议论文《P+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构》介绍了基于P+P-top层的SOID-RESURFLDMOS新型高压器件结构。该结构通过优化掺杂分布和电场分布，提升了器件的耐压能力和导通性能。论文在2023年中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会上发表，为高压功率器件的设计提供了新思路。
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