会议论文《基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件》介绍了采用深槽刻蚀技术制造的600V超结VDMOS器件。该研究通过优化沟槽结构和掺杂分布，显著提升了器件的导通性能与开关特性。论文在2011年全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会上发表，对推动功率半导体器件的技术进步具有重要意义。
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