会议论文《Analysis of dislocation stability in nanoscale inhomogeneity with interface stress》探讨了纳米尺度不均匀性中位错稳定性的相关问题。该研究考虑了界面应力对位错行为的影响,为理解材料在纳米尺度下的力学性能提供了理论依据。文章通过分析不同界面条件下的位错稳定性,揭示了界面效应在纳米材料设计中的重要性。该成果发表于2010年中国材料研讨会,对材料科学领域具有重要意义。
文档为pdf格式,0.34MB,总共8页。
举报