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氟离子注入实现增强型AlGaN_GaN HEMT器件的研究 - 第十四届全国固体薄膜学术会议.pdf

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2026-1-10 06:18 | 查看全部阅读模式

会议论文《氟离子注入实现增强型AlGaN_GaN HEMT器件的研究》介绍了通过氟离子注入技术改善AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）性能的方法。该研究旨在通过离子注入调控器件的阈值电压，实现增强型工作模式，提升器件的稳定性和可靠性。论文在第十四届全国固体薄膜学术会议上发表，为宽禁带半导体器件的优化设计提供了重要参考。

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氟离子注入实现增强型AlGaN_GaN HEMT器件的研究 - 第十四届全国固体薄膜学术会议.pdf

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