具有p型板的4H-SiC MESFET - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 02:52 | 查看全部 阅读模式

会议论文《具有p型板的4H-SiC MESFET》介绍了基于4H-SiC材料的金属-半导体场效应晶体管设计。该研究通过引入p型板结构,有效改善了器件的电学性能和热稳定性。文章详细分析了器件结构参数对性能的影响,并展示了其在高温、高频应用中的潜力。该成果为高性能功率电子器件的发展提供了新的思路。

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具有p型板的4H-SiC MESFET - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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