会议论文《具有多凹陷源_漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET》介绍了新型双凹栅结构的4H-SiC金属-半导体场效应晶体管。该器件通过引入多凹陷源和漏漂移区，有效改善了电场分布，提高了击穿电压和器件性能。研究结果表明，该结构在高频和高功率应用中具有良好的潜力，为宽禁带半导体器件的发展提供了新思路。
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