会议论文《不同偏置影响SiGe HBT单粒子效应的三维数值仿真研究》发表于第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)。该研究通过三维数值仿真方法，分析了不同偏置条件下SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)在单粒子效应下的响应特性，探讨了偏置电压对器件敏感区域和电流脉冲行为的影响，为提高器件抗辐射性能提供了理论依据。
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