一种高压大电流IGBT的设计与实现 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 02:07 | 查看全部阅读模式

本文介绍了高压大电流IGBT的设计与实现，针对电力电子器件在高电压和大电流应用中的需求，提出了一种新型结构。通过优化芯片设计和工艺流程，提升了IGBT的性能与可靠性。研究结果表明，该IGBT在导通损耗和开关特性方面表现优异，具有良好的应用前景。

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