基于单端正激谐振复位技术的DC_DC变换器MOSFET损耗计算方法 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 12:34 | 查看全部阅读模式

本文针对基于单端正激谐振复位技术的DC-DC变换器，提出了一种MOSFET损耗计算方法。通过分析电路工作原理和开关特性，建立了损耗模型，为优化设计提供了理论依据。该研究对提高变换器效率具有重要意义。

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