会议论文《β-FeSi2_4H-SiC PIN近红外光电二极管的实验研究》探讨了基于β-FeSi2与4H-SiC材料的PIN结构近红外光电二极管的性能。研究通过实验分析了器件的光电响应特性，优化了结构参数，提升了响应效率和工作稳定性。该成果为新型光电子器件的发展提供了理论依据和技术支持，具有重要的应用前景。
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