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论文《提高AlGaN/GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构》介绍了通过设计纳米沟道阵列结构来提升器件关态击穿电压的方法。该结构有效改善了电场分布，降低了边缘电场强度，从而提高了器件的可靠性与性能。研究结果表明，该方法在不牺牲器件开关特性的情况下，显著增强了击穿电压，对高性能功率器件的发展具有重要意义。 文档为pdf格式，1.08MB，总共3页。
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- 提高AlGaN_GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学 ...
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