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    基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

    172 0
    2025-12-14 21:12 | 查看全部 阅读模式

    本文介绍了基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件的研究。通过采用Al2O3作为介质层，改善了器件的界面特性，提高了阈值电压稳定性。研究结果表明，该结构能够有效抑制沟道载流子泄漏，提升器件性能。文章为GaN功率器件的优化设计提供了新思路。

    文档为pdf格式，1.07MB，总共4页。
    基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
    2025-12-14 21:16 上传
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    1.07 MB
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    基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf ...
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    集成电路, 年会, 介质, 微波, 器件
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