本文介绍了基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件的研究。通过采用Al2O3作为介质层，改善了器件的界面特性，提高了阈值电压稳定性。研究结果表明，该结构能够有效抑制沟道载流子泄漏，提升器件性能。文章为GaN功率器件的优化设计提供了新思路。
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