新资汇»首页 › 参考资料 › 工业技术 › 反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届 ...

反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛.pdf

3 0

2025-12-14 02:44 | 查看全部阅读模式

论文《反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析》探讨了反向击穿电压对GaN基LED器件可靠性的影响。通过实验分析，研究发现反向电压过高会导致器件性能下降甚至失效，影响其使用寿命。文章提出了优化设计和工艺的建议，以提高LED的稳定性和可靠性，为GaN基LED的广泛应用提供了理论支持。

文档为pdf格式，0.16MB，总共4页。

反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛

2025-12-14 02:44 上传

反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛.pdf

文件大小:: 163.84 KB

下载次数:: 60

反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛.pdf ...

高速下载

半导体, 可靠性, 电压, 论坛

【温馨提示】您好！以下是下载说明，请您仔细阅读：
1、推荐使用360安全浏览器访问本站，选择您所需的PDF文档，点击页面下方“下载”按钮。
2、耐心等待两秒钟，系统将自动开始下载，本站文件均为高速下载。
3、下载完成后，请查看您浏览器的下载文件夹，找到对应的PDF文件。
4、使用PDF阅读器打开文档，开始阅读学习。
5、使用过程中遇到问题，请联系QQ客服。

本站提供的所有PDF文档、软件、资料等均为网友上传或网络收集，仅供学习和研究使用，不得用于任何商业用途。
本站尊重知识产权，若本站内容侵犯了您的权益，请及时通知我们，我们将尽快予以删除。

反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析 - 第八届中国国际半导体照明论坛.pdf

相关文档

能源电力

化工

建筑工程

机械

电子信息

医药

科学