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双端口SRAM单粒子效应检测 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 02:43 | 查看全部阅读模式

论文《双端口SRAM单粒子效应检测》探讨了双端口静态随机存取存储器在单粒子效应下的可靠性问题。通过实验分析，研究了单粒子事件对存储器数据读写的影响，提出了有效的检测方法。该成果对于提高航天和高辐射环境下的集成电路可靠性具有重要意义。

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双端口SRAM单粒子效应检测 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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学术会议, 粒子, 集成电路, 半导体, 端口

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