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[冶金] GBT 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

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admin 发表于 2024-9-22 22:06 | 查看全部阅读模式

化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
Characterizationofsubsurfacedamageinpolishedcompoundsemiconductorwafersbyreflectancedifferencespectroscopymethod

摘要:本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

标准编号：GB/T26070-2010
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2011年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2011年1月1日
关键词：半导体,半导体材料,损伤,单晶,抛光,SEMICONDUCTORS,SEMICONDUCTORMATERIALS,DAMAGE,SINGLECRYSTAL,POLISHING

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法.pdf

2024-9-22 22:06 上传

GBT 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法.pdf

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半导体, 晶片, 化合物, 抛光, 损伤

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