T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高.pdf

一、基本信息

文档名称：T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高

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总页数：48页

二、简介

《T_CASAS 043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高》是一项针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的行业标准。该标准旨在规范SiC MOSFET产品的技术要求、测试方法及质量控制流程，以提升产品质量和可靠性。适用于电力电子领域中的高效能、高耐压器件设计与应用。标准内容涵盖材料特性、电气性能、热稳定性及封装要求等方面，为相关企业提供了统一的技术依据，推动了SiC器件在新能源、电动汽车及智能电网等领域的广泛应用。

三、预览

2025-9-6 15:02 上传 T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高.pdf

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