一、基本信息
文档名称：T_CASAS 037—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅
文档格式：pdf格式
文档大小：0.67MB
总页数：60页
二、简介
《T_CASAS 037—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅》是一项针对碳化硅功率器件的技术规范，旨在规范SiC MOSFET栅结构的设计与制造标准。该标准涵盖了栅极材料、工艺流程、性能指标及测试方法等内容，为提升SiC MOSFET的可靠性与一致性提供了技术依据。适用于电力电子领域中使用SiC MOSFET的设备设计与生产，有助于推动新一代高效、高耐压功率器件的发展。
三、预览
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