GeSnGe双纳米线异质结构.pdf
GeSn合金材料作为一种新型的Ⅳ族半导体材料,其能带结构能在Sn组分大于～6.5％-11％转变为直接带隙,从而有望实现与现有CMOS工艺兼容的Si基Ⅳ族发光材料和器件.然而,由于Ge与α-Sn之间的晶格失配有15％,这使得Ge上面外延的高Sn组分的GeSn存在较高的压应变,不利于其转变为直接带隙.而纳米结构由于其较高的表面体积比可通过弹性形变的方式有效释放应变.
作者：朱忠赟珅 宋禹忻 韩奕 李耀耀 张振普 张立瑶 薛忠营 狄增峰 王庶民
作者单位：中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院大学,北京,100049中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;查尔莫斯理工大学,瑞典哥德堡,41296
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：
关键词：半导体材料 锗锡合金 制备工艺 纳米异质结构 直接带隙
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
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