掺杂SBT顺电相电子结构研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf

论文《掺杂SBT顺电相电子结构研究》探讨了掺杂后SBT（SrBi₂Ta₂O₉）顺电相的电子结构特性。通过理论计算与实验分析，研究揭示了掺杂元素对材料能带结构和电子态的影响，为优化SBT材料性能提供了理论依据。该研究对发展高性能铁电存储器具有重要意义。

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