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[航空、航天] GBT 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

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2024-9-25 15:18 | 查看全部阅读模式

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
DesignrequirementsofradiationhardeningforCMOSIC

摘要:本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOICMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

标准编号：GB/T41033-2021
标准类型：GB
发布单位：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
发布日期：2021年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2022年1月1日
关键词：

GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求.pdf

2024-9-25 15:18 上传

GBT 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求.pdf

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设计, 集成电路, 加固, 辐射

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