基于密度梯度量子-漂移扩散模型的深亚微米nMOSFET 2维数值模拟 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

该论文介绍了基于密度梯度量子-漂移扩散模型的深亚微米nMOSFET二维数值模拟方法。通过引入量子效应修正项，提高了对短沟道效应的模拟精度。研究采用有限差分法进行数值求解，分析了器件在不同工作条件下的电特性，为纳米尺度半导体器件的设计与优化提供了理论依据。

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基于密度梯度量子-漂移扩散模型的深亚微米nMOSFET 2维数值模拟 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

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