0.5μm GaN HEMT及其可靠性 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

论文《0.5μm GaN HEMT及其可靠性》介绍了基于0.5μm工艺的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的设计与性能分析。文章重点研究了器件的直流和射频特性，并探讨了其在高温、高功率条件下的可靠性问题。通过实验数据验证了该器件在微波通信系统中的应用潜力，为后续高性能GaN器件的研发提供了理论依据和技术支持。

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2025-12-14 21:27 上传 0.5μm GaN HEMT及其可靠性 - 2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会.pdf

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