论文《0.5μm GaN HEMT及其可靠性》介绍了基于0.5μm工艺的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的设计与性能分析。文章重点研究了器件的直流和射频特性，并探讨了其在高温、高功率条件下的可靠性问题。通过实验数据验证了该器件在微波通信系统中的应用潜力，为后续高性能GaN器件的研发提供了理论依据和技术支持。
举报
