本文介绍了通过热压烧结制备SiC_CCTO陶瓷电容器的工艺及其性能。研究探讨了不同烧结参数对材料微观结构和介电性能的影响，结果表明该陶瓷具有优异的介电常数和低介电损耗，适用于高频电子器件。论文为高性能陶瓷电容器的开发提供了理论依据和技术支持。
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