硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究 - 第十五届全国高技术陶瓷学术年会.pdf

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2026-1-12 17:00 | 查看全部 阅读模式

会议论文《硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究》探讨了硅表面自组织量子点的形成机制,采用第一原理方法进行理论分析。该研究为理解量子点的生长规律提供了重要依据,对半导体器件的开发具有重要意义。文章发表于第十五届全国高技术陶瓷学术年会,展示了先进材料研究的最新成果。

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硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究 - 第十五届全国高技术陶瓷学术年会
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