会议论文《Influence of temperature on chemical mechanical polishing removal rate of sapphire substrate for GaN growth - 二〇〇八全国功能材料科技与产业高层论坛》探讨了温度对蓝宝石基片在GaN生长过程中化学机械抛光去除率的影响。研究结果表明，温度变化显著影响抛光效率和表面质量，为优化抛光工艺提供了理论依据，对提升氮化镓器件性能具有重要意义。
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