InP基InGaAlAs_InGaAlAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算 - 2008激光技术论坛.pdf

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2026-1-12 07:41 | 查看全部 阅读模式

2008激光技术论坛的会议论文《InP基InGaAlAs_InGaAlAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算》研究了基于InP衬底的应变量子阱激光器的子带跃迁特性。通过理论计算分析了材料结构对能带结构和光发射特性的影响,为优化激光器性能提供了依据。

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InP基InGaAlAs_InGaAlAsSb应变量子阱激光器的子带跃迁计算 - 2008激光技术论坛
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