会议论文《GaN基电子器件与可靠性研究进展》由中国电子学会第十四届青年学术年会发表，系统总结了GaN基电子器件在材料、结构设计及可靠性方面的最新研究成果。文章分析了GaN器件在高温、高功率环境下的性能表现，并探讨了影响其可靠性的关键因素，为未来宽禁带半导体器件的发展提供了理论支持和技术参考。
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