会议论文《ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策》探讨了在静电放电（ESD）条件下，多指条MOS器件中栅极与源/漏极之间的过耦合现象。该研究分析了栅过耦合对器件性能的影响，并提出了有效的抑制策略，为提高器件的ESD可靠性提供了理论依据和技术支持。
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