会议论文《重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究》探讨了在辐射环境下，重掺杂多晶硅栅结构对功率VDMOSFET性能的影响。该研究针对第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会主题，分析了器件在辐射条件下的工作特性与可靠性，为高辐射环境下的电力电子器件设计提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.18MB，总共4页。
举报
