会议论文《空位对掺锗直拉单晶硅中氧沉淀行为的影响》探讨了在掺锗直拉单晶硅中，空位对氧沉淀形成与演变的影响机制。研究通过实验分析，揭示了空位浓度与氧沉淀尺寸、分布之间的关系，为优化硅材料性能提供了理论依据。该成果对提高半导体器件的可靠性具有重要意义。
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