不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 12:25 | 查看全部阅读模式

会议论文《不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性》探讨了在不同剂量率下，NPN晶体管的辐射损伤行为。研究分析了发射极面积对器件性能的影响，揭示了高剂量率与低剂量率辐射环境下晶体管的失效机制。该成果对提升电子器件的抗辐射能力具有重要意义，为航天、核能等领域的电子系统设计提供了理论支持。

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