会议论文《国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究》探讨了国产VDMOS器件在总剂量辐射环境下的性能变化及其退火效应。研究通过实验分析了辐射对器件电学特性的影响，评估了不同退火条件下的恢复效果，为提高器件的抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。
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