会议论文《256K PROM电路技术研究》探讨了256K可编程只读存储器（PROM）的电路设计与实现技术。文章分析了PROM的结构特点、工作原理及优化方法，针对其在抗辐射环境下的应用进行了深入研究。该研究为提高PROM的可靠性与稳定性提供了理论支持和技术参考，对推动抗辐射电子学的发展具有重要意义。
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