本文介绍了两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备方法，并研究了其对辐射的影响。通过优化结构设计，有效降低了边缘电场集中问题，提升了器件的抗辐射性能。实验结果表明，改进后的器件在辐射环境下表现出更稳定的电气特性，为高可靠性电子系统提供了新的解决方案。
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