超低栅压(Vgs)高速LDMOS可靠性研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

会议论文《超低栅压(Vgs)高速LDMOS可靠性研究》探讨了在超低栅压条件下高速LDMOS器件的可靠性问题。研究分析了不同Vgs对器件性能和寿命的影响，提出了优化设计方法以提升器件稳定性。该文为高性能功率器件的设计与应用提供了理论支持和技术参考。

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超低栅压(Vgs)高速LDMOS可靠性研究 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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