一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:58 | 查看全部 阅读模式

会议论文《一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管》介绍了采用CMOS工艺制造的双栅结构硅纳米线场效应管。该器件通过双栅控制提高性能,具有良好的电学特性与可集成性。研究为未来高性能、低功耗集成电路提供了新思路,适用于先进制程中的晶体管设计。

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一种基于CMOS工艺的双栅硅纳米线场效应管 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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