CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

3 0
2026-1-10 01:12 | 查看全部 阅读模式

会议论文《CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究》介绍了基于CMOS工艺制备硅纳米线阵列的方法,并分析了其光电性能。研究采用先进的微纳加工技术,实现了高密度硅纳米线的可控生长,探讨了其在光探测和传感领域的应用潜力。实验结果表明,该结构具有良好的光电响应特性,为未来高性能、低功耗的集成光电子器件提供了新思路。

文档为pdf格式,0.47MB,总共6页。

CMOS兼容硅纳米线阵列制备及其光电特性研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
文件大小:
481.28 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1