会议论文《4H-SiC高压肖特基二极管研制》介绍了基于4H-SiC材料的高压肖特基二极管的研究成果。该研究针对高功率电子器件的需求，提出了一种新型结构设计，提升了二极管的耐压能力和导通性能。通过优化工艺参数和界面处理技术，显著降低了反向漏电流，提高了器件的可靠性。该成果为未来高性能电力电子系统提供了重要支持。
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