会议论文《4英寸InGaN/GaN量子阱生长温度控制与监测》探讨了在4英寸衬底上生长高质量InGaN/GaN量子阱时的温度控制技术。文章介绍了通过精确监测和调节生长温度，提升量子阱结构的均匀性和性能。研究对LED器件的光效和稳定性具有重要意义，为大尺寸氮化镓基半导体材料的制备提供了理论支持和技术参考。
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