超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术

241 0
2024-12-14 13:49 | 查看全部 阅读模式

文档名:超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术
摘要:高效、低损耗SiC晶片加工技术一直是各生产厂家积极研究的高端加工技术.主要研究了采用超快激光垂直改质SiC单晶材料的加工工艺,实现了晶体的切片,大幅提高材料利用率,降低衬底成本.

Abstract:Thehigh-efficiencyandlow-lossSiCwaferprocessingtechnologyhasalwaysbeenahigh-endprocessingtechnologyactivelyresearchedbyvariousmanufacturers.TheverticalmodificationprocessbyultrafastlaserofSiCsinglecrystalmaterialsisresearched,andthecrystalslicingisachievedisstudied,whichsignificantlyimprovematerialutilizationandreducesubstratecosts.

作者:张红梅  胡北辰  张志耀  牛奔Author:ZHANGHongmei  HUBeichen  ZHANGZhiyao  NIUBen
作者单位:中国电子科技集团公司第二研究所,太原030024
刊名:电子工艺技术
Journal:ElectronicsProcessTechnology
年,卷(期):2024, 45(3)
分类号:TN305
关键词:超快激光  垂直改质  SiC  
Keywords:ultrafastlasers  verticalupgrading  siliconcarbide  
机标分类号:TG386TS2TN304.12
在线出版日期:2024年7月8日
基金项目:国家重点研发计划,科工局XX科研项目,山西省重大专项揭榜挂帅项目超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术[
期刊论文]  电子工艺技术--2024, 45(3)张红梅  胡北辰  张志耀  牛奔高效、低损耗SiC晶片加工技术一直是各生产厂家积极研究的高端加工技术.主要研究了采用超快激光垂直改质SiC单晶材料的加工工艺,实现了晶体的切片,大幅提高材料利用率,降低衬底成本.参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文

        超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术  Vertical Modification Process by Ultrafast Laser for SiC Single Crystal Materials

超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术.pdf
文件大小:
887.01 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1