采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究 - 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-12 18:50 | 查看全部阅读模式

会议论文《采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究》探讨了通过高分辨X射线衍射技术分析m面氮化镓材料中的位错特性。该研究为理解GaN晶体质量提供了重要依据，有助于优化器件性能。论文在第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议上发表，展示了XRD技术在半导体材料分析中的应用价值。

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