本文针对通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性进行模拟分析，探讨了其在高功率工作状态下的温度分布与散热性能。通过建立三维热模型，研究了通孔结构对器件热阻和热传导的影响，为优化器件设计提供了理论依据，有助于提升器件的稳定性和可靠性。
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