会议论文《单晶型700V高压LDMOS优化设计》探讨了高压LDMOS器件在单晶硅基板上的结构优化与性能提升。文章针对700V电压等级的LDMOS进行了详细设计，分析了其电场分布、击穿电压及导通电阻等关键参数。通过优化器件结构，提高了器件的可靠性和效率，为高压功率器件的应用提供了理论支持和技术参考。
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