会议论文《PMOSFET中NBTI效应的寿命评价》发表于中国电子学会第十四届青年学术年会，探讨了PMOSFET器件在长期工作下的可靠性问题。文章重点分析了负偏置温度不稳定性（NBTI）对器件寿命的影响，通过实验与模型结合的方法，评估了NBTI效应导致的阈值电压漂移和电流退化。研究为提高集成电路可靠性和延长器件使用寿命提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.29MB，总共4页。
举报
