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MOSFET 亚阈值斜率随温度变化关系研究 - 中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会.pdf

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2026-1-12 07:47 | 查看全部阅读模式

会议论文《MOSFET 亚阈值斜率随温度变化关系研究》探讨了MOSFET器件在不同温度下亚阈值斜率的变化规律。该研究对提升器件可靠性及优化电路设计具有重要意义，为半导体器件在复杂环境下的性能分析提供了理论支持。

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斜率, 阈值, 中国电子, 分会, 第十

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