会议论文《LDMOS全耗尽漂移区的电流计算方法》针对LDMOS器件的性能优化问题，提出了一种精确计算全耗尽漂移区电流的方法。该方法结合了电场分布与载流子迁移特性，提高了对器件工作状态的预测准确性。研究对于提升LDMOS器件的效率和可靠性具有重要意义，为功率电子器件的设计提供了理论支持。
文档为pdf格式，0.36MB，总共4页。
举报
